電荷補償技術
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絕緣樣品表面的光電子發射引起正的靜電荷（h+）， 使樣品出現一穩定的表面電位Vs，它對光電子逃離有束縛作用，使譜線發生位移，還會使譜峰展寬、畸變。
當用非單色化的X射線源激發光電發射時，在樣品的附近有足夠的低能電子提供，使其有效地中和樣品，從而獲得高質量的XPS譜圖。當用單色X射線源時，在靠近樣品附近不會產生這麼大量的低能電子，所以無法中和樣品上的荷電。事實上，由於單色器的X射線線寬比非單色的X射線窄的多，更需要有效的荷電補償。荷電補償在分析區域內也必須均勻，以防XPS譜峰展寬。
儘管如此，並不代表這對於XPS使用的X射線，使用非單色化的X射線要優於單色化的。使用單色化的X射線可以使譜線便窄，得到更多的化學信號資訊；同時也可以除去X射線譜中干擾的部分，即X射線伴峰（衛星峰）和軔致輻射產生的連續背景。使用單色器可以將X射線聚焦成小束斑，即可以實現高靈敏度的小面積XPS（SAX）測量，或者可在同一個穩定性稍差的樣品上進行多點測試。
所以對於荷電效應的補償有時候顯得非常重要。當必須進行荷電補償時，正確的方法是給樣品補償低能電子（e-），但通常無法達到精確的電荷平衡，多餘的電子在樣品表面產生均勻的、大小已知的負電。然後在數據處理時，將峰移至正確的位置。此種技術可以將荷電差異或者不均勻荷電減到最小。但是難以用某一種方法徹底消除。用於荷電補償的電子束應該是低能電子以避免損傷樣品的表面，但必須有足夠高的通量，以充分地補償荷電。典型的電子能量小於5eV。
然而，在實際的XPS分析中，一般採用內標法進行校準，而非進行荷電效應補償。最常用的方法是用真空系統中最常見的有機污染碳C 1s的電子結合能為284.6 eV進行校準，這種方法方便快捷。當然，對於有時候也可以採用穩定的化學元素Au, Pt, In, Ar等，通過在樣品表面蒸鍍Au或Pt等元素（BEAu4f7/2=84.0eV,BEPt4f7/2=71.1eV)，用金和Pt來做荷電校正；或者有人將樣品壓入In片，用In來做校正；或者將Ar離子注入到樣品表面，用Ar2p來做校正。所謂的校正，就是所有的元素以它為標準，比如碳元素C, 每個元素都要加上或減去碳C的信號峰移動的ev。
樣品製備
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